南韩顶尖半导体学者之一、成均馆大学化工系教授权锡俊（音译）表示，不应轻视中国大陆半导体产业的长期潜力，他认为，就算受到美国出口管制的阻挠，中国大陆仍可能在2030年代中期左右，获得能力接近极紫外光（EUV）微影设备的先进半导体制造装备。

他4日接受韩媒采访时表示：「我们不应高估，也不应低估中国的技术能力。我们需要冷静且客观地进行评估。」

权锡俊说：「在产业转型期间，曾经看似不可能被采用的技术可能会突然浮现。这就是所谓的颠覆性创新。中国的电动车就是一个代表性的例子。中国选择电动车作为克服美国和日本在内燃机汽车领域建立长期『护城河』的一种方式，结果发展出世界级的技术能力。同样的事情没有理由不会发生在半导体领域。」

权锡俊也说：「现在每个人都说，没有EUV就不可能实现5奈米以下的制程。但正因如此，由艾司摩尔（ASML）垄断的EUV，也易受到破坏性创新的影响。中国基于加速器的光源技术，可能成为继EUV之后的下一代技术，最快可能在2030年代中期出现原型机。一旦发生，即使中芯国际仍落后台积电（2330）和三星电子约十年，最终仍可能进入个位数奈米制程领域。」

本文转自：TNT时报